Основные достигнутые результаты:
Ведущие специалисты:
Основное технологическое и исследовательское оборудование:
Партнеры и заказчики:
Ключевые проекты (источники финансирования):
Основные публикации:
Основные достигнутые результаты:
- Получены наноструктурированные материалы на основе тонких оксидных слоев SiO2, Si1-xGexO2, Al2O3 с нановключениями элементарных и «сплавных» полупроводников Si, SixGey, SixCy путем ионной имплантации элементов IV группы. Материалы обладают фотолюминесценцией в диапазоне спектра 300-1200 нм при комнатной температуре;
- Обнаружена электролюминесценция в диапазоне длин волн 400-800 нм при комнатной температуре и мощности электрической накачки ~0,1 Вт в диодных структурах ITO / SiO 2 : nc - Si / Si .
Ведущий специалист:
- Тетельбаум Давид Исаакович, доктор физико-математических наук, профессор.
Основное технологическое и исследовательское оборудование:
- Ионно-лучевая установка ИЛУ-3 (ускоряющее напряжение до 40 кВ, ионный ток до 1 мА);
- Ионно-лучевая установка ИЛУ-200 (ускоряющее напряжение до 160 кВ, ионный ток до 0,5 мА), оснащенная спектроскопической системой Princeton Gamma Tech (США) для рентгеновского энергодисперсионного анализа кинетики накопления примесей и дефектов в облучаемых кристаллах;
- Модифицированные установки молекулярно-лучевого, электроннолучевого и ионно-плазменного осаждения тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков;
- Комплекс оборудования для оптической спектроскопии, включающий измерение фото- и электролюминесценция с временным разрешением, оптическое пропускание/поглощение,
- Комплекс оборудования для ИК Фурье-спектроскопии и рамановской спектроскопии на базе приборов Acton Research Corp ., Stanford Research Systems , Janis Research , Varian;
- Анализатор параметров полупроводниковых приборов Agilent B1500A для измерения I-V и C-V характеристик.
Основные Партнеры:
- Институт физики микроструктур РАН (Н. Новгород);
- Воронежский государственный университет (Воронеж);
- НТВП «Поверхность» (Москва);
- Институт проблем химической физики РАН (Черноголовка);
- Middle East Technical University (Turkey);
- University of Trento (Italy);
- University of Oslo (Norway)
- Research Institute for Technical Physics and Materials Science (Hungary).
Ключевые проекты (источники финансирования):
- Программа FP 6 Европейской Комиссии, проект SEMINANO (договоры подряда по контракту NMP 4- CT -2004-505285);
- Аналитическая ведомственная целевая программа Федерального агентства по образованию «Развитие научного потенциала высшей школы», проекты:№ 2.1.1.4022, № 2.2.2.2.4737, № 2.1.1.933, № 2.1.1.3778.
Основные публикации:
- Свойства нанокристаллов кремния , сформированных и легированных методом ионной имплантации в различных оксидных матрицах / Д . И . Тетельбаум , А . Н . Михайлов , О . Н . Горшков , А . П . Касаткин , В . А . Бурдов , А . В . Ершов , А . И . Белов , Д . А . Камбаров , В . К . Васильев , А . И . Ковалев , Д . Л . Вайнштейн , Д . М . Гапонова , R. Turan, S. Yerci, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss // Нанотехника . – 2006. – №3 . – С .36-52.
- A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, O.N. Gorshkov, A.I. Belov, D.A. Kambarov, V.A. Belyakov, V.K. Vasiliev, A.I. Kovalev, D.M. Gaponova. Effect of ion doping with donor and acceptor impurities on intensity and lifetime of photoluminescence from SiO2 films with silicon quantum dots. J. Nanosci. Nanotechnol . – 2008. – Vol .8. – P .780-788.
- D. Wainstein, A. Kovalev, D. Tetelbaum, A. Mikhaylov, A. Belov. Investigations of SiC semiconductor nanoinclusions formed by sequential ion implantation and annealing in thermally oxidized Si. Surf . Interf . Anal . – 2008. – Vol .40, No .3-4. – P .571-574.
- Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.В. Ершов, Е.А. Питиримова, С.М. Планкина, В.Н. Смирнов, А.И. Ковалев, Д.Л. Вайнштейн, R . Turan , S . Yerci , T . G . Finstad , S . Foss . Свойства наноструктур Al 2 O 3 : nc - Si , сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия. ФТТ. – 2009. – Т.51, №.2. – P .385-392.