Нижегородский Государственный Университет им. Н.И. Лобачевского


версия для печати

НАНОСТРУКТУРЫ, НАНОЭЛЕКТРОНИКА И НАНООПТИКА:

 

- Создание методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) многослойных Si и Si/Ge наноструктур, в том числе, легированных редкоземельными элементами для микро- и оптоэлектроники.
 

Основные достигнутые результаты:
Ведущие специалисты:
Основное технологическое и исследовательское оборудование:
Партнеры и заказчики:
Ключевые проекты (источники финансирования):
Основные публикации:

 

Основные достигнутые результаты: 
- Разработана комбинированная методика МЛЭ для выращивания многослойных структур с субмикронными слоями Si и Si1‑ X Ge X :Er. Продемонстрирована возможность контролируемого роста лазерных структур с активным слоем Si1‑ X Ge X :Er с содержанием Ge от 3 до 36   % и толщиной d SiGe   ≤   2,3 мкм и уровнем легирования эрбием ≤ 3∙1018 см‑3. Внешняя квантовая эффективность светоизлучающих структур Si /Si1‑ X Ge X :Er/ Si достигает 0,16 % при T  =   4,2  K и мощности возбуждения 14 мВт;
-  Разработана методика выращивания методом МЛЭ эпитаксиальных субмикронных слоев кремния на подложках сапфира диаметром до 100 мм , пригодных для изготовления на них интегральных схем (ИС). По данным метода рентгеновской дифракции ширина Δω1/2 рентгеновского пика от центральной части слоя Si(100) толщиной 0,3 мкм не превышает 30 угловых минут. Шероховатость поверхности слоя кремния составляет не более 10%. На данных структурах были изготовлены опытные образцы интегральных схем.

к оглавлению ↑

 

Ведущий специалист:
- Шенгуров Владимир Геннадьевич, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник.

к оглавлению ↑

 

Основное технологическое и исследовательское оборудование:
- Сверхвысоковакуумные установки молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания структур на основе   Si и Ge комбинированным методом с использованием твердотельных и газовых источников. Установки имеют необходимое оборудование для in situ мониторинга процесса роста (масс-спектрометр, ИК-пирометр). Контроль параметров структур выполняется с использованием методов электронографии, атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции, вторично-ионной масс-спектроскопии, фотолюминесценции.

к оглавлению ↑

 

Основные партнеры:
- Институт прикладной физики РАН;
- Институт физики твердого тела РАН;
- Институт физики микроструктур РАН. 

Основные заказчики:
- ФГУП «НИИИС им. Седакова».

к оглавлению ↑

 Ключевые проекты (источники финансирования):
-  Гранты РФФИ № 07-02-01304-а и № 08-02-01063-а;
-  Аналитическая ведомственная целевая программа Федерального агентства по образованию «Развитие научного потенциала высшей школы», проекты: № 2.1.1.1370,  № 2.2.2.4737,  № 2.1.1.3615,  № 2.1.1.3626.

к оглавлению ↑

 

Основные публикации:
-  M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, D.M. Zhigunov, O.A. Shalygina, V.Yu. Timoshenko. Observation of the population inversion of erbium ion states in Si/Si1-xGex:Er/Si structures under optical excitation. Optical materials 2006, v.28, p.893-896.
-  С.А.Денисов, С.П.Светлов, В.Ю.Чалков, В.Г.Шенгуров, Д.А.Павлов, Е.В.Коротков, Е.А.Питиримова, В.Н.Трушин. Структурное совершенство гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Неорганические материалы. – 2007. – Т.43, № 4. – С.391 398.
-  Д.О.Филатов, М.В.Круглова, М.А.Исаков, С.В.Сипрова, M.О.Марычев, В.Г.Шенгуров,  В.Ю.Чалков, С.А.Денисов. Фотолюминесценция нанокластеров GeSi/Si, формирующихся в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа. ФТП. – 2008. – Т.42, Вып.9. – С.1116-1121.

к оглавлению ↑

 

 

Порядок взаимодействия и контакты




Rambler's Top100