Нижегородский Государственный Университет им. Н.И. Лобачевского


версия для печати

НАНОСТРУКТУРЫ, НАНОЭЛЕКТРОНИКА И НАНООПТИКА:
 
- Разработка и создание наноструктурированных многофункциональных полупроводниковых и диэлектрических материалов и структур на их основе;

- Создание и исследование сложных эпитаксиальных нано-гетероструктур на основе полупроводников А3В5;

- Создание и исследование магнитных полупроводниковых наноструктур для спинтроники;

- Создание и исследование перспективных наноструктурированных материалов для планарной оптики и оптоэлектроники.

 

Основные достигнутые результаты:
Ведущие специалисты:
Основное технологическое и исследовательское оборудование:
Партнеры и заказчики:
Ключевые проекты (источники финансирования):
Основные публикации:

 

Основные достигнутые результаты: 
- Разработана технология и освоено мелкосерийное производство мощных лазерных диодов ближнего ИК-диапазона (λ = 0.92 - 1.15 мкм) на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs. На основе структур InGaAs/GaAs/InGaP  разработан и создан двухчастотный лазер, предназначенный для генерации разностной частоты в среднем ИК-диапазоне (λ = 8–12 мкм); 
- Методом лазерного распыления твердотельных мишеней получены эпитаксиальные слои GaMnAs и InMnAs. На этих структурах впервые показано наличие аномального эффекта Холла с петлей гистерезиса в InMnAs при комнатной температуре. Разработанные структуры являются основой для создания нового класса полупроводниковых приборов с управляемыми магнитным полем параметрами работы;
- Разработаны диоды Шоттки на основе гетеронаноструктур с встроенными в область пространственного заряда барьера Шоттки квантовой ямой InGaAs/GaAs и близко к ней расположенного δ-слоя Mn. Разработанные структуры могут лечь в основу нового типа светоизлучающих диодов с управляемыми магнитным полем параметрами излучения.

к оглавлению ↑

 

Ведущий специалист:
- Звонков Борис Николаевич, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник.

к оглавлению ↑

 

Основное технологическое и исследовательское оборудование
-  Автоматизированная технологическая установка МОС-гидридной эпитаксии, в том числе модуль для распыления мишеней импульсным лазером; 
-  Автоматизированная технологическая установка МОС-гидридной эпитаксии AIX200RF, производства фирмы AIXTRON (Германия); 
-  Автоматизированные установки для измерения спектров фото- и электролюминесценции, фото-эдс, электрофизических параметров структур при 77 и 300К; 
-  Автоматизированная установка для измерения спектров фото- и электролюминесценции, а также электрофизических параметров структур в диапазоне температур 10-300 К. Установка собрана на базе криостата “Janis” и двух CCD детекторов излучения, обеспечивающих регистрацию  излучения в диапазоне 0.6-2.0 мкм.

к оглавлению ↑

 

Основные партнеры:
- Институт прикладной физики РАН;
-  Институт физики твердого тела РАН;
- Институт физики микроструктур РАН;
-  ФТИ РАН им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург).

Основные Заказчики:  
- РФЯЦ-ВНИИЭФ;
- ФГУП «НИИИС им. Седакова».

к оглавлению ↑

 

Ключевые проекты (источники финансирования):
-  Проекты Фонда гражданских исследований и разработок США (CRDF): RUX0-001-NN/BF7M01 и BP4M01;
-  Гранты РФФИ: №  08-02-97038р_поволжье_а, 08-02-00548а, 07-02-00486а;
-  Аналитическая ведомственная целевая программа Федерального агентства по образованию «Развитие научного потенциала высшей школы», проекты: № 2.2.2.2.4297;  № 2.2.2.2.4737;  № 2.2.2.2.4297; № 2.2.2.3.16006.

к оглавлению ↑

 

Основные публикации:
- B.N. Zvonkov, A.A. Biryukov, A.V. Ershov, S.M. Nekorkin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, A.A. Dubinov, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers. Appl. Phys. Lett. – 2008. – V.92. – P.021122.
- О.В. Вихрова, Ю.А. Б.Н. Данилов, Звонков, А.В. Кудрин, В.В. Подольский, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников, C. Moura, M.I. Vasilevskiy, М.П. Темирязева Ферромагнетизм при комнатной температуре в слоях InMnAs. Физика твердого тела. – 2008. - Т.50, в.1. - С.50-53.
- M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvonkov. Emission properties of InGaAs/GaAs heterostructures with delta-doped barrier. J. Phys. D. Appl. Phys. – 2008. – V.41. – P.245110.
- А.В. Здоровейщев, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков. Особенности морфологии и спектров фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии при периодическом прерывании роста.Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. - 2008. - T.5. - С.1-4.

к оглавлению ↑

 

 

Порядок взаимодействия и контакты




Rambler's Top100